SanDisk 和东芝今天宣布，他们正在制造 256Gbit (32GB)、每单元 3 位 (X3) 48 层 3D NAND 闪存芯片，其容量是下一代最密集存储器的两倍。
这两家 NAND 闪存制造商目前正在日本四日市的新制造工厂打印 256Gb X3 芯片的试点。他们预计明年将推出新芯片。
去年，东芝和SanDisk关于新的晶圆厂，表示他们将专门使用该设施生产三维“V-NAND”NAND闪存晶圆。
在宣布这一消息时，两家公司表示，如果算上工厂的建设及其运营，此次合作的价值约为 48.4 亿美元。
3月，东芝发布首款48层3D V-NAND芯片；这些闪存芯片拥有 128Gbit (16GB) 的容量。
“从第一天起，东芝的战略就是扩展我们的浮栅技术，该技术采用世界上最小的 15nm 128Gb 芯片，”东芝美国电子元件 (TEAC) 内存业务部高级副总裁 Scott Nelson 说道。 “我们宣布......业界首个 48 层 3D 技术非常重要，因为我们正在实现向 3D 闪存的有竞争力的、平滑的迁移，以支持存储市场对不断增长的密度的需求。”
两家公司表示，新型256Gbit闪存芯片采用15纳米光刻工艺技术，适用于多种应用，包括消费类SSD、智能手机、平板电脑、存储卡和数据中心企业级SSD。
基于公司称之为 BiCS [位成本缩放] 的垂直闪存堆叠技术，新型闪存每个晶体管（三级单元或 TLC）存储三位数据，而东芝之前使用 BiCS 生产的两位（多级单元或 MLC）存储器。
东芝和 SanDisk 的位成本扩展 (BiCS) 3D 垂直 NAND 设计。
“这是世界上第一款 256Gb X3 芯片，采用我们业界领先的 48 层 BiCS 技术开发，展示了 SanDisk 在 X3 技术方面的持续领先地位。我们将使用这款芯片为我们的客户提供引人注目的存储解决方案，”SanDisk 内存技术执行副总裁 Siva Sivaram 在一份声明中表示。
去年，三星成为第一家开始生产 3D NAND 的半导体制造商。据三星称，其 V-NAND 芯片的可靠性提高了 2 至 10 倍，写入性能提高了两倍。
三星的 V-NAND 采用基于 3D 电荷陷阱闪存 (CTF) 技术的单元结构。通过应用后一种技术，三星的 3D V-NAND 可以提供比当今 20 纳米级平面 NAND 闪存两倍以上的扩展。
三星正在将其 3D V-NAND 用于各种消费电子产品和企业应用，包括嵌入式 NAND 存储和固态硬盘 (SSD)。三星的3D NAND闪存芯片被用来制造容量从128GB到1TB的SSD。